声明称，在未来20年，美光计划向工厂总共投资高达1000亿美元，这将成为纽约州历史上最大的私人投资，能为当地创造约50,000个就业机会。在项目周期内，纽约州还将为工厂提供55亿美元的资金激励，支持工厂招聘和资本投资。
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美光将向一期项目投资200亿美元，在克莱镇新建一个巨型内存工厂，2023年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。
声明指出，这座工厂最终可能包含四个600,000平方英尺的洁净室——半导体工业生产厂房，总计面积能达到240万平方英尺，规模接近40个橄榄球场的大小，创美国半导体行业历史之最。
美光透露，纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线(EUV) 光刻技术，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。
在2031年-2040年期间，美光将致力于推动DRAM在美产量的增长，目标是占全球产量的40%以上。
在声明中，美光还提到了美国政府不久前签署的《芯片与科学法案》(Chips and Science Act)。公司首席执行官桑杰·梅罗特拉表示，“毫无疑问，如果没有这项法案，我们就不会有今天。”
目前这项法案已经促成了包含格芯、SK海力士、环球晶圆等多家芯片公司在美设厂的计划。
